超高真(zhēn)空(UHV)應用中的等離子清洗(xǐ)-粒子加速器
發佈時間 : 2025-04-23
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超高真(zhēn)空(UHV)應用中的等離子清洗-粒子加速器  

超潔淨表麵 

 

超高真空關鍵部(bù)件(例如表麵科學實驗室和粒(lì)子加速器中廣(guǎng)泛(fàn)使用的部件)需滿足嚴格的(de)清潔標準,其中安(ān)裝前的清洗是重要步驟。位於英國、專注於全球粒(lì)子加速器技術的達雷斯伯裡實驗室(Daresbury Laboratory)與Henniker Plasma合作,探索將氧等離子清洗納入其嚴格的預清洗(xǐ)流程的潛力。 

通過測量“電子激勵脫附優(yōu)率”electron stimulated desorption yields“(ESD),實驗室評估了等離子清洗的效(xiào)果,並將傳統溶劑清(qīng)洗與等離子清洗的結果進行了對比。  

 

溶劑清洗技術 

達雷斯(sī)伯裡實驗(yàn)室選擇氫氟(fú)醚(HFE)作為主要清洗溶劑,該結論基於(yú)早期研究——不同清洗技術對不鏽鋼表麵出氣(qì)和電子激發脫附的影響[1]。  

 

HFE清洗流程步驟如(rú)下:

  1. 1. 手動洗滌(dí)劑清洗  
  2. 2. 去離子水沖洗  
  3. 3. 標準洗滌劑水洗15分鐘  
  4. 4. 去(qù)離子水沖洗(xǐ)  
  5. 5. HFE超聲(shēng)清(qīng)洗15分鐘(zhōng)  
  6. 6. HFE蒸汽清洗15分鐘  
  7. 7. 去離子水沖洗(xǐ)  
  8. 8. 烘乾(80°C)  

 

等離子清洗 

氣(qì)體原子電離時,高能粒子碰撞會使其外(wài)層電子脫離軌道,產生等離子體的(de)特徵“輝光”。等離子體包含多種活性成(chéng)分,如原子(zǐ)、分子、離子、電子、自由基、亞穩態粒子以及短波紫外(wài)光(真空紫外光,VUV)。等離子體通常在低壓(<1.0 Torr)密閉容器中(zhōng)生成,低壓環境延長了活性粒子的平均自(zì)由程,使其(qí)在接觸表麵時仍保持高(gāo)反應性。常用功率和壓力下,腔體溫度接近室溫。 

實驗中使用的氣體為氧氣。真空紫外光能有效(xiào)破壞表麵汙染物(wù)中的有機鍵(如C-H、C-C、C=C、C-O、C-N),分解高分子量汙染物。等離子(zǐ)體中的氧活性物種(如O₂⁺、O₂⁻、O₃、O、O⁺、O⁻、電離臭氧(yǎng)、亞穩態氧、自(zì)由電子)進一步與有機物(wù)反應,生成H₂O、CO、CO₂及低分子量碳氫化合物。這些產(chǎn)物蒸氣壓較高,易被抽離(lí)腔體。

 

樣品清潔度測量 

不鏽鋼樣品被故意汙染(油汙(yú)、油脂、指紋、記號筆(bǐ)等),並通過“電子激勵脫附優(yōu)率“評估清潔度。計算公式如下:  

CCLRC方程(chéng)-用於超高真空應用和粒子加速器(qì)的等離子清洗

其中:

  • - Nₘ=脫附分子數(shù)  
  • - Nₑ=入(rù)射電子數  
  • - qₑ=電子電荷(hé)  
  • - kB=玻爾茲曼常(cháng)數  
  • - T=腔體溫度  
  • - Iesd=漏(lòu)極電流  
  • - Q=通量 

圖1. ESD實驗裝置-用於超(chāo)高真空應用和粒(lì)子加速器的等離子清洗

 

實(shí)驗(yàn)關鍵參數包括:  

  • - 圓柱(zhù)體(tǐ)偏(piān)壓+200V  
  • - 同軸電子源  
  • - 可變通導率(lǜ):143升/秒(質量28,用於ESD)  
  • - 校準壓力測量  
  • - ESD期間樣品漏極電流監(jiān)測  

結果與討論  

圖表1顯示,在傳統(tǒng)溶(róng)劑(jì)清洗基礎上增加等(děng)離子清洗步驟後,電子激勵脫附優率(即樣品清潔度)顯著改善。經等離子清洗的樣品脫附優率接近未汙染樣品水平(píng)。這表明,等離子清洗可減少脫附優率,從而(ér)降低加速器真空係統(tǒng)的氣體負載。

此外,縮短清洗流程(僅保留HFE超聲清洗+等離子清洗【ultrasonic HFE + plasma】)的樣品清潔度優於完整HFE流程。這意味著傳統HFE流程可簡(jiǎn)化為兩步(超聲+等離子清洗),仍能(néng)獲得更高清潔度的(de)表麵。  

圖表1. 不同清洗方法的電子激勵脫附(fù)優率對比(分子/電子)

 

其他組合(如水洗/蒸汽清洗+等(děng)離子[aqueous or vapour clean + plasma])的清潔效果不足(zú),無法滿足超高真空要求。  

解決方案 

使用(yòng)臺式等離子清洗機結合傳(chuán)統溶劑清洗,可獲得接近未汙染表麵的清潔度,且效果優於單獨溶劑清洗。此案例表明,等離子清洗能夠: 

  1. 1. 縮短冗長的清(qīng)洗流(liú)程 
  2. 2. 減少對不環保溶劑的使用(yòng)
  3. 3. 降低溶劑處理、使用(yòng)和(hé)處置成(chéng)本 

 

達雷斯伯裡實驗室團隊與(yǔ)Henniker Plasma緊密合作,確保解決方案助力其成為全球粒子加(jiā)速(sù)器技術的(de)領導者。  

“結合傳統溶劑清洗與臺式等離子清洗機,我們獲得了比單獨溶劑清洗更潔淨的表麵。”

——K.J. Middleman,達雷斯伯裡實驗室  

 

參考文獻:

Reference[1] K.J. Middleman, Vacuum 81 (2007) P793-798.

本文翻譯自:

https://plasmatreatment.co.uk/knowledge-base/case-studies/132-plasma-cleaning-for-uhv-applications-particle-accelerators

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